ECH8620-TL-E
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：FET - 阵列，8-SMD
技术参数：MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
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参数详情：
制造商产品型号: ECH8620-TL-E制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）功能总体简述: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8系列: -FET 类型: N 和 P 沟道FET 功能: 逻辑电平门漏源极电压（Vdss）: 100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2A，1.5A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 260 毫欧 @ 1A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 13.8nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 650pF @ 20V功率 - 最大值: 1.3W安装类型: 表面贴装产品封装: 8-SMD，扁平引线供应商器件封装: 8-ECHECH8620-TL-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
