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    FAM65HR51DS2
  • 制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
  • 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：-
  • 技术参数：IGBT MODULE 650V 33A 135W
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：FAM65HR51DS2
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT MODULE 650V 33A 135W
  • 系列：晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 配置：半桥逆变器
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：33A
  • 功率-最大值：135W
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：-
  • 电流-集电极截止（最大值）：-
  • 不同Vce时输入电容(Cies)：4.86nF @ 400V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：无
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：-
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