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FCPF190N65FL1-F154
  • 制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220F-3
  • 技术参数:MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3
  • (专注销售安森美电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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  • 参数详情:
  • 制造商产品型号:FCPF190N65FL1-F154
  • 制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:FRFET?, SuperFET? II
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):20.6A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):190 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 2mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):78nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3055pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):39W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-220F-3
  • FCPF190N65FL1-F154的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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