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FDD86369_F085

  • 制造厂商:ONSEMI(中文名:安森美 ON)
  • 类别封装:FET - 单,TO-252-3,DPak
  • 技术参数:MOSFET N-CH 80V 90A POWER56
  • (专注销售安森美电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

FDD86369_F085参数详情:

  • 制造商产品型号: FDD86369_F085
  • 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 80V 90A POWER56
  • 系列: PowerTrench
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 80V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 90A(Tc)
  • 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 7.9 毫欧 @ 80A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 54nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2530pF @ 40V
  • 功率 - 最大值: 150W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装: D-PAK(TO-252AA)
  • FDD86369_F085的官网价格:3.38,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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