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FDG6301N_F085供应商
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FDG6301N_F085
- 制造厂商：ONSEMI（中文名：安森美 ON）
- 类别封装：场效应管阵列，SC-70-6
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 25V 220MA SC70-6
- （专注销售安森美电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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FDG6301N_F085参数详情：
- 制造商产品型号：FDG6301N_F085
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：MOSFET 2N-CH 25V 220MA SC70-6
- 系列：-
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：25V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：220mA
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 220mA，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.4nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9.5pF @ 10V
- 功率 - 最大值：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：SC-70-6
- FDG6301N_F085的官网价格：0.8，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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