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FGA20N120FTDTU
  • 制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-3P-3,SC-65-3
  • 技术参数:IGBT 1200V 40A 298W TO3PN
  • (专注销售安森美电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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  • 参数详情:
  • 制造商产品型号:FGA20N120FTDTU
  • 制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)
  • 描述:IGBT 1200V 40A 298W TO3PN
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:最後搶購
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):40A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):60A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,20A
  • 功率-最大值:298W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:137nC
  • 25°C时Td(开/关)值:-
  • 测试条件:-
  • 反向恢复时间(trr):447ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-3P-3,SC-65-3
  • FGA20N120FTDTU的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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