FGB20N6S2
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT 600V 28A 125W TO263AB
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参数详情：
制造商产品型号：FGB20N6S2制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）描述：IGBT 600V 28A 125W TO263AB系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：28A电流-集电极脉冲(Icm)：40A不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，7A功率-最大值：125W开关能量：25J（开），58J（关）输入类型：标准栅极电荷：30nC25°C时Td（开/关）值：7.7ns/87ns测试条件：390V，7A，25 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263ABFGB20N6S2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
