FGH75T65UPD-F085
制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
技术参数:IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
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参数详情:
制造商产品型号:FGH75T65UPD-F085制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)描述:IGBT 650V 150A 375W TO-247AB系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:Automotive, AEC-Q101零件状态:不適用於新設計IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):150A电流-集电极脉冲(Icm):225A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A功率-最大值:375W开关能量:2.85mJ(开),1.2mJ(关)输入类型:标准栅极电荷:578nC25°C时Td(开/关)值:32ns/166ns测试条件:400V,75A,3 欧姆,15V反向恢复时间(trr):85ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3FGH75T65UPD-F085的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。