FGY100T65SCDT
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：FS3TIGBT TO247 100A 650V
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参数详情：
制造商产品型号：FGY100T65SCDT制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：FS3TIGBT TO247 100A 650V系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：最後搶購IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：200A电流-集电极脉冲(Icm)：300A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，100A功率-最大值：750W开关能量：5.4mJ（开），3.8mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：157nC25°C时Td（开/关）值：84ns/216ns测试条件：400V，100A，4.7 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：62ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3FGY100T65SCDT的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
