FGY75T95SQDT
制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3 变式
技术参数:IGBT 950V 75A
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参数详情:
制造商产品型号:FGY75T95SQDT制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)描述:IGBT 950V 75A系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):950V电流-集电极(Ic)(最大值):150A电流-集电极脉冲(Icm):300A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.11V @ 15V,75A功率-最大值:434W开关能量:8.8mJ(开),3.2mJ(关)输入类型:标准栅极电荷:137nC25°C时Td(开/关)值:28.8ns/117ns测试条件:600V,75A,4.7 欧姆,15V反向恢复时间(trr):259ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3 变式FGY75T95SQDT的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。