FPF1C2P5BF07A
制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:F1 模块
技术参数:MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE
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参数详情:
制造商产品型号:FPF1C2P5BF07A制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)描述:MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:有源FET类型:5 N 沟道(太阳能逆变器)FET功能:标准漏源电压(Vdss):650V25°C时电流-连续漏极(Id):36A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 27A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-功率-最大值:250W工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型:底座安装封装:F1 模块FPF1C2P5BF07A的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。