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HGTP3N60A4D供应商
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HGTP3N60A4D
- 制造厂商：ONSEMI（中文名：安森美 ON）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
- 技术参数：IGBT 600V 17A 70W TO220AB
- （专注销售安森美电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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HGTP3N60A4D参数详情：
- 制造商产品型号：HGTP3N60A4D
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT 600V 17A 70W TO220AB
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：不用於新
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：17A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：40A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，3A
- 功率-最大值：70W
- 开关能量：37J（开），25J（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：21nC
- 25°C时Td（开/关）值：6ns/73ns
- 测试条件：390V，3A，50 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：29ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-220-3
- HGTP3N60A4D的官网价格：10.2979，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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