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J112_D26Z
- 制造厂商:ONSEMI(中文名:安森美 ON)
- 类别封装:JFET结点场效应管,TO-92-3
- 技术参数:JFET N-CH 35V 625MW TO92
- (专注销售安森美电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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J112_D26Z参数详情:
- 制造商产品型号:J112_D26Z
- 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
- 描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92
- 系列:-
- FET 类型:N 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):35V
- 漏源极电压 (Vdss):-
- 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):5mA @ 15V
- 漏极电流 (Id) - 最大值:-
- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1V @ 1A
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
- 电阻 - RDS(开):50 欧姆
- 安装类型:通孔
- 产品封装:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商器件封装:TO-92-3
- 功率 - 最大值:625mW
- J112_D26Z的官网价格:0.45,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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