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    MMBV109LT1G
  • 制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
  • 类别封装：二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器），封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 技术参数：DIODE TUNING SS 30V SOT23
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：MMBV109LT1G
  • 制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）
  • 描述：DIODE TUNING SS 30V SOT23
  • 系列：二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
  • 零件状态：停产
  • 不同?Vr、F时电容：32pF @ 3V，1MHz
  • 电容比：6.5
  • 电容比条件：C3/C25
  • 电压-峰值反向（最大值）：30V
  • 二极管类型：单路
  • 不同Vr、F时Q值：200 @ 3V，50MHz
  • 工作温度：125°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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