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MUN5113DW1T1G
  • 制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
  • 类别封装:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置,封装:-
  • 技术参数:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
  • (专注销售安森美电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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  • 参数详情:
  • 制造商产品型号:MUN5113DW1T1G
  • 制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)
  • 描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
  • 系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
  • 零件状态:停产
  • 晶体管类型:-
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):-
  • 电压-集射极击穿(最大值):-
  • 电阻器-基极(R1):-
  • 电阻器-发射极(R2):-
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):-
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):-
  • 电流-集电极截止(最大值):-
  • 频率-跃迁:-
  • 功率-最大值:-
  • 安装类型:-
  • 封装:-
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