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NCS025M3E120NT066-09供应商
产品参考图片
NCS025M3E120NT066-09
- 制造厂商：ONSEMI（中文名：安森美 ON）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:-
- 技术参数：ELITESIC 1200V M3E BARE DIE SILI
- （专注销售安森美电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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NCS025M3E120NT066-09参数详情：
- 型号:NCS025M3E120NT066-09
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:ELITESIC 1200V M3E BARE DIE SILI
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- FET 类型:-
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:-
- 供应商器件封装:-
- 封装/外壳:-
- NCS025M3E120NT066-09的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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