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NDD60N550U1-1G
  • 制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:IPAK(TO-251)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
  • (专注销售安森美电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
  • 参数详情:
  • 制造商产品型号:NDD60N550U1-1G
  • 制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):8.2A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):550 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):18nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):540pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):94W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:IPAK(TO-251)
  • NDD60N550U1-1G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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