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NGD8209NT4G
  • 制造厂商:安森美半导体(英文名:ONSEMI)
  • 类别封装:IGBT - 单路,TO-252-3,DPak
  • 技术参数:IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
  • (专注销售安森美电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
  • 参数详情:
  • 制造商产品型号: NGD8209NT4G
  • 制造厂家名称: ON Semiconductor
  • 功能总体简述: IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
  • 系列: -
  • IGBT 类型: -
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 445V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值): 12A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm): 30A
  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2.3V @ 4.5V,10A
  • 功率 - 最大值: 94W
  • 开关能量: -
  • 输入类型: 逻辑
  • 栅极电荷: -
  • 25°C 时 Td(开/关)值: -
  • 测试条件: -
  • 反向恢复时间(trr): -
  • 产品封装: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 安装类型: 表面贴装
  • 供应商器件封装: DPAK
  • NGD8209NT4G的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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