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NGTB30N120L2WG

制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）

类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：-

技术参数：IGBT 1200V 60A 534W TO247

（专注销售安森美电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）

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参数详情：

制造商产品型号：NGTB30N120L2WG

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：IGBT 1200V 60A 534W TO247

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：*

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：-

电流-集电极(Ic)（最大值）：-

电流-集电极脉冲(Icm)：-

不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：-

功率-最大值：-

开关能量：-

输入类型：-

栅极电荷：-

25°C时Td（开/关）值：-

测试条件：-

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-

安装类型：-

封装：-

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