NGTG12N60TF1G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：单路IGBT，原厂封装
技术参数：IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
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参数详情：
制造商产品型号：NGTG12N60TF1G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：IGBT 600V 24A 54W TO-3PF系列：-IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：600V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：24ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：88A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.6V @ 15V，12A功率 - 最大值：54WSwitching Energy：-输入类型：标准Gate Charge：84nC25°C 时 Td（开/关）值：55ns/200nsTest Condition：300V， 15A， 30 欧姆， 15V反向恢复时间 (trr)：-产品封装：TO-3P-3 整包安装类型：通孔供应商器件封装：*NGTG12N60TF1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
