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NTMFD0D9N02P1E供应商
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NTMFD0D9N02P1E
- 制造厂商：ONSEMI（中文名：安森美 ON）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-PQFN（5x6）
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V/25V 14A 8PQFN
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NTMFD0D9N02P1E参数详情：
- 型号:NTMFD0D9N02P1E
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:8-PQFN（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V/25V 14A 8PQFN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:30V，25V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），30A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V，0.72 毫欧 @ 41A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 340A，2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9nC，30nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400pF @ 15V，5050pF @ 13V
- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.04W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerWDFN
- 供应商器件封装:8-PQFN（5x6）
- NTMFD0D9N02P1E的官网价格：1:$4.04000|3000:$1.69400，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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