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NTTFD1D8N02P1E供应商
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NTTFD1D8N02P1E
- 制造厂商：ONSEMI（中文名：安森美 ON）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-PQFN（3.3x3.3）
- 技术参数：MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
- （专注销售安森美电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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NTTFD1D8N02P1E参数详情：
- 型号:NTTFD1D8N02P1E
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:8-PQFN（3.3x3.3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:25V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），21A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 15A，10V，1.4 毫欧 @ 29A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 190A，2V @ 310A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5nC @ 4.5V，17nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:873pF @ 15V，2700pF @ 15V
- 功率 - 最大值:800mW（Ta），900mW（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerWDFN
- 供应商器件封装:8-PQFN（3.3x3.3）
- NTTFD1D8N02P1E的官网价格：1:$2.25000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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