NVMFD6H852NLT1G
制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
技术参数：MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
（专注销售安森美电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：NVMFD6H852NLT1G制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）描述：MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：80V25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Ta），25A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25.5 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 26μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：521pF @ 40VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），38W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）NVMFD6H852NLT1G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
