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NVNJWS5K0P061LTAG供应商
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NVNJWS5K0P061LTAG
- 制造厂商：ONSEMI（中文名：安森美 ON）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:3-XDFNW（1x1）
- 技术参数：MOSFET - POWER, P-CHANNEL WITH E
- （专注销售安森美电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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NVNJWS5K0P061LTAG参数详情：
- 型号:NVNJWS5K0P061LTAG
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:3-XDFNW（1x1）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET - POWER, P-CHANNEL WITH E
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):357A（Ta），482A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 100mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1 nC @ 25 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:29 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1.437W（Ta），2.617W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
- 供应商器件封装:3-XDFNW（1x1）
- 封装/外壳:3-XFDFN
- NVNJWS5K0P061LTAG的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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