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    NZD9V1MUT5G
  • 制造厂商：安森美半导体（英文名：ONSEMI）
  • 类别封装：二极管 - 齐纳 - 单，封装：0201（0603 公制）
  • 技术参数：DIODE ZENER 9.1V 300MW 2-X3DFN
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：NZD9V1MUT5G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：DIODE ZENER 9.1V 300MW 2-X3DFN
  • 系列：二极管 - 齐纳 - 单
  • 零件状态：有源
  • 电压-齐纳（标称值）(Vz)：9.1V
  • 容差：±5%
  • 功率-最大值：300mW
  • 阻抗（最大值）(Zzt)：30 Ohms
  • 不同Vr时电流-反向泄漏：500nA @ 6V
  • 不同If时电压-正向(Vf)：1.1V @ 10mA
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：0201（0603 公制）
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